Publisher

UMUM

Journal Just a moment...Just a moment... Abstract

Bahan CIGS dapat digunakan sebagai bahan untuk aplikasi photodetector. Deposisi film tipis CIGS masih menjadi tantangan. Umumnya, argon digunakan sebagai gas untuk membombardir bahan CIGS melalui metode sputtering. Studi ini melakukan fabrikasi photodetector dengan variasi laju aliran gas argon (50-80 sccm) untuk menyelidiki pengaruhnya terhadap kinerja perangkat. Karakterisasi XRD, SEM, UV-Vis, dan photoresponse dilakukan. Analisis struktural menggunakan XRD menunjukkan puncak difraksi lemah (112), yang menunjukkan bahwa film hasilnya tidak sepenuhnya kristalin, melainkan terdiri dari fase nanokristalin, bahkan sebagian amorf, dengan ukuran kristit kecil. Menurut analisis SEM, ketebalan film tipis meningkat dari 1,005 μm menjadi 1,283 μm seiring dengan peningkatan laju aliran gas argon. Analisis karakterisasi UV-VIS menunjukkan absorbansi maksimum pada panjang gelombang 234 nm dan celah pita yang menurun dari 2,43 eV menjadi 2,30 eV. Analisis photoresponse mengungkapkan bahwa lapisan penyerap yang lebih tebal merespons lebih lambat terhadap paparan cahaya, yang menunjukkan penurunan mobilitas pembawa muatan. Waktu respons arus dan tegangan ditemukan berkisar antara 3,01 hingga 5,01 detik dan 2,18 hingga 4,35 detik, masing-masing.

Conclusion

Film tipis CIGS yang dideposisi dengan metode sputtering pada berbagai laju aliran gas argon menunjukkan struktur nanokristalin hingga semi-kristalin dengan beberapa fase amorf, seperti yang dikonfirmasi oleh XRD, yang hanya menunjukkan puncak (112) yang lemah dengan ukuran kristit rata-rata ~20-25 nm.Analisis SEM menunjukkan morfologi permukaan yang berpori dengan ketebalan yang meningkat dari 1,005 μm pada 50 sccm menjadi 1,283 μm pada 80 sccm, sedangkan hasil EDX mengonfirmasi keberadaan unsur Cu, In, Ga, dan Se dengan rasio Ga/(In Ga) sebesar 0,10-0,17.Spektrum UV-Vis menunjukkan pelebaran celah pita dari 2,30 eV hingga 2,43 eV dengan peningkatan kandungan Ga, lebih tinggi dari prediksi teoritis akibat adanya fase nanokristalin dan amorf.Tes photoresponse menunjukkan fotokuren sekitar 25,8 μA/cm² dan fotovoltaik sebesar 0,35 mV, lebih tinggi dari beberapa laporan sebelumnya, meskipun waktu respons (2-5 detik) relatif lambat akibat adanya trap state dan pori.Studi ini terbatas pada karakterisasi struktur, morfologi, optik, dan photoresponse tanpa analisis transportasi listrik yang lebih detail atau integrasi perangkat, dan hanya menggunakan metode sputtering RF dengan variasi laju aliran gas argon yang sempit.Oleh karena itu, penelitian lebih lanjut diperlukan untuk melakukan rekayasa antarmuka dan pengukuran listrik yang lebih komprehensif untuk mengoptimalkan kinerja photodetector berbasis CIGS.

Future Research

Untuk meningkatkan kinerja photodetector berbasis CIGS, penelitian lanjutan dapat difokuskan pada optimasi kondisi deposisi yang berbeda, seperti variasi laju aliran gas argon yang lebih luas, penggunaan metode deposisi alternatif, dan rekayasa antarmuka. Selain itu, pengukuran listrik yang lebih komprehensif dapat dilakukan untuk memahami perilaku transportasi listrik dan meningkatkan kinerja perangkat. Dengan melakukan optimasi ini, diharapkan dapat mengurangi kepadatan trap, meningkatkan kristalinitas, dan mempercepat respons optik film CIGS.

References

1. A review of solid oxide fuel cell component fabrication methods toward lowering temperature - Zakaria... onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/er.4907A review of solid oxide fuel cell component fabrication methods toward lowering temperature Zakaria onlinelibrary wiley doi 10 1002 er 4907

Metadata

File size	1.09 MB
Pages	15
DMCA	Report